純度可以做到99.9%和99.99%, 可做成長方板狀,圓盤狀,薄片狀,棒狀,管狀,用於蒸鍍材料的規則顆粒狀3 x 3 or 6 x 6,或不規則顆粒狀,靶材表面可達到RA16微米,可根據圖紙加工複雜的項目, 具體尺寸及詳細規格資料,請與我們聯繫.

金屬銦靶材, 金屬銦絲, 金屬銦錠, 氧化銦靶材, 氧化銦錫(ITO)靶材,氧化銦鋅靶材(In2O3-ZnO), 氧化銦鎵靶材In2O3-Ga2O3 (IGO), 氧化銦鋅鎵靶材 In2O3-ZnO-Ga2O3 (IZGO), 銦錫合金靶材, 銦鋅合金靶材, 及用於半導體材料的砷化銦 InAs, 銻化銦 InSb, 硒化銦 InSe.