 |
|
 |
金屬銦錠,粉,濺射靶材,蒸發鍍膜材料
型號︰
In
品牌︰
TYR
原產地︰
中國
單價︰
CNY ¥ 1000 / 件
最少訂量︰
1 件
產品描述
金屬銦,Indium, In, CAS號：7440-74-6我公司提供的金屬銦 In產品規格如下:
高純金屬銦 In粉, 純度: 99.99%,99.999% 粉末粒度: -325目,-200目, <10um, 可以定製.
高純金屬銦 In濺射靶材, 純度: 99.99%, 99.999% , 尺寸:直徑 355.6mm (14英吋) ,長度 (250mm) ,寬度 (200mm) ,厚度 (20mm), 形狀：板材，圓片，矩形，方形，圓環，圓棒，臺階圓片，臺階矩形，其他客戶訂製
高純金屬銦 In蒸發鍍膜材料, 純度: 99.99%, 99.999% , 規格1-10mm, 6 x 6, 3 x 3mm等或定製, 形狀: 不規則顆粒,絲狀, 圓粒
高純度高純金屬銦 In 薄(銦箔片), 高純金屬銦 In絲.
高純銦合金濺射靶材, 純度: 99.99%, 比如: 銦錫合金In-Sn, 銦銻合金In-Sb, 銦鋅合金In-Zn, 銦銀合金In-Ag, 銅銦硒合金Cu-In-Se, 銅銦鎵硒合金 Cu-In-Gs-Se (CIGS)等, 尺寸:直徑 355.6mm (14英吋) ,長度 (250mm) ,寬度 (200mm) ,厚度 (20mm), 形狀：板材，圓片，矩形，方形，圓環，圓棒，臺階圓片，臺階矩形，其他客戶訂製
高純銦化合物半導體材料: 純度: 99.99%, 99.999%, 比如銻化銦（InSb）、磷化銦（InP）、砷化銦（InAs）,硒化銦 (In2Se3)等, 可提供材料狀態: 粉末, 顆粒, 板材，圓片，矩形，方形，圓環，圓棒，臺階圓片，臺階矩形等.
金屬銦, 有延展性的銀灰色質軟的易熔金屬, 能拉成細絲. 熔點156.61℃。沸點2060℃。相對密度:7.31g/cm3, 原子量:114.818, 從常溫到熔點之間，銦與空氣中的氧作用緩慢，不易失去光澤, 表面形成極薄的氧化膜，溫度更高時，與氧、鹵素、硫、硒、碲、磷作用。大塊金屬銦不與沸水和碱反應，但粉末狀的銦可與水作用，生成氫氧化銦。燃燒時會發生鮮紫色的火焰. 銦與冷的稀酸作用緩慢，易溶于濃熱的無機酸和乙酸、草酸。銦能與許多金屬形成合金, 以降低金屬的熔點. 可作低熔合金、軸承合金、半導體、電光源等的原料, 主要作飛機用的塗敷鉛的銀軸承的鍍層. 銦銀合金或銦鉛合金的導熱能力高于銀或鉛。銦箔往往插入核反應堆中以控制核反應的進行，銦箔在反應堆中與中子反應后便呈現放射性，其呈現放射性的速度，可作為測量和反應進行的一個有價值的參數.
銦單獨的礦物極少，絕大多數伴生于錫、鉛、銻、鋅等礦中.
用途:
銦錠因其光滲透性和導電性強，主要用於生產ITO靶材（用於生產液晶顯示器和平板屏幕）
用於電子半導體領域
用於焊料和生產合金領域
用於較高溫度下的真空縫隙填充材料。
在光電子領域，銦及其化合物半導體具有廣氾的用途, 如化合物半導體如銻化銦（INSB）、磷化銦（INP）、砷化銦（INAS）等
銅銦硒（CIS）等三元化合物薄膜半導體材料，由於有價格低廉、性能良好和工藝簡單的優點，將成為今後大力發展太陽電池工業的一個重要方向，促使銦在該領域的應用不斷增大
產品說明︰
金屬銦粉,金屬銦錠, 金屬銦絲, 濺射鍍膜，蒸發材料
產品圖片
