氮化鉭TaN粉,濺射靶材

氮化鉭陶瓷靶材，蒸發鍍膜材料, tantalum nitride, TaN, CAS號： 12033-62-4

我公司提供的氮化鉭TaN產品規格如下:

高純氮化鉭TaN, 純度: 99.5%, 粉末粒度: -325目, <10um, 可以定製.

高純氮化鉭TaN濺射靶材, 純度: 99.5%, 尺寸:直徑 355.6mm (14英吋) ,長度 (250mm) ,寬度 (200mm) ,厚度 (20mm), 形狀：板材，圓片，矩形，方形，圓環，圓棒，臺階圓片，臺階矩形，其他客戶訂製

高純氮化鉭TaN蒸發鍍膜材料, 純度: 99.5%, 規格1-10mm, 6 x 6, 10 x 8,18 x10等或定製, 形狀: 不規則顆粒,圓粒

氮化鉭TaN, 屬金屬氮化物, 分子量: 194.95, 暗灰色粉末。六方晶結構，晶格常數α=0.518nm。密度13.4-14.36g/cm3。熔點3090℃，電阻率(180±10) μΩ•cm。顯微硬度(106±75)MPa，超導轉變溫度1.2K。熱穩定性高, 用作高溫導電材料. 耐酸性能好，不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸，易被硫酸和硝酸和過氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類質同晶混合物，和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應或700～1000℃下使鉭粉和氮氣反應生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點製造電阻薄膜器件。

用途：
用作超硬質材料添加劑，可制備純的五氯化鉭用於噴塗，增加變壓器、集成線路、二極管的電穩定性。用來製造精確片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。
tantalum nitride resistance film　　一種鉭基中低阻薄膜。主成分為氮化鉭。具有熔點高(3090℃)、電阻溫度係數小和穩定性高的特點。電阻率180～220μΩ/cm，方阻50～100Ω，TCR<-50×10-6/℃。採用濺射法工藝制備。用於製作中低阻薄膜元件。